لطفاً برای دریافت آخرین قیمت‌ها و موجودی با ما تماس بگیرید.
EASTECH Electronics

در دسترس ۲۴/۷ در

+86 13632816717
EASTECH Electronics EASTECH Electronics

FET، ماسفت

عکس شماره قطعه تولیدکننده موجودی قیمت تعداد برگه مشخصات سری بسته / کیس بسته بندی وضعیت محصول نوع FET تکنولوژی تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs Vgs(th) (Max) @ ID شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs Vgs (حداکثر) ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds ویژگی FET اتلاف نیرو (حداکثر) دمای عملیاتی درجه صلاحیت نوع نصب بسته دستگاه تامین کننده
STP120NF04

STP120NF04

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

STMicroelectronics

2,395
RFQ
STP120NF04

برگه مشخصات

STripFET™ II TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 5mOhm @ 50A, 10V 4.5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRF6603TR1

IRF6603TR1

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Infineon Technologies

4,289
RFQ
IRF6603TR1

برگه مشخصات

HEXFET® DirectFET™ Isometric MT Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 27A (Ta), 92A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 72 nC @ 4.5 V +20V, -12V 6590 pF @ 15 V - 3.6W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MT
SPB100N08S2-07

SPB100N08S2-07

MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Infineon Technologies

4,257
RFQ
SPB100N08S2-07

برگه مشخصات

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 100A (Tc) 10V 6.8mOhm @ 66A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 6020 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
SPB100N08S2L-07

SPB100N08S2L-07

MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Infineon Technologies

6,419
RFQ
SPB100N08S2L-07

برگه مشخصات

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 68A, 10V 2V @ 250µA 246 nC @ 10 V ±20V 7130 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
SPB80N08S2L-07

SPB80N08S2L-07

MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Infineon Technologies

9,325
RFQ
SPB80N08S2L-07

برگه مشخصات

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 6.8mOhm @ 67A, 10V 2V @ 250µA 233 nC @ 10 V ±20V 6820 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
SIHP15N65E-GE3

SIHP15N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB

Vishay Siliconix

9,370
RFQ
SIHP15N65E-GE3

برگه مشخصات

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 280mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±30V 1640 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF3711ZS

IRF3711ZS

MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK

Infineon Technologies

8,875
RFQ
IRF3711ZS

برگه مشخصات

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 92A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±20V 2150 pF @ 10 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
FQA11N90C

FQA11N90C

MOSFET N-CH 900V 11A TO3P

onsemi

6,267
RFQ
FQA11N90C

برگه مشخصات

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 11A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±30V 3290 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IRFR3709Z

IRFR3709Z

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

Infineon Technologies

2,710
RFQ
IRFR3709Z

برگه مشخصات

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 86A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V 2.25V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 2330 pF @ 15 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
SPP80N04S2-H4

SPP80N04S2-H4

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

Infineon Technologies

8,750
RFQ
SPP80N04S2-H4

برگه مشخصات

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 148 nC @ 10 V ±20V 5890 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IPP039N10N5XKSA1

IPP039N10N5XKSA1

MV POWER MOS

Infineon Technologies

9,618
RFQ

-

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 6V, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 3.8V @ 125µA 95 nC @ 10 V ±20V 7000 pF @ 50 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IRFL014

IRFL014

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

Vishay Siliconix

3,844
RFQ
IRFL014

برگه مشخصات

- TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
IRFL014TR

IRFL014TR

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

Vishay Siliconix

4,363
RFQ
IRFL014TR

برگه مشخصات

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
IRFL210

IRFL210

MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223

Vishay Siliconix

8,286
RFQ
IRFL210

برگه مشخصات

- TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 960mA (Tc) 10V 1.5Ohm @ 580mA, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
IRFL210TR

IRFL210TR

MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223

Vishay Siliconix

2,343
RFQ
IRFL210TR

برگه مشخصات

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 960mA (Tc) 10V 1.5Ohm @ 580mA, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
IRLL110

IRLL110

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Vishay Siliconix

8,854
RFQ
IRLL110

برگه مشخصات

- TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1.5A (Tc) 4V, 5V 540mOhm @ 900mA, 5V 2V @ 250µA 6.1 nC @ 5 V ±10V 250 pF @ 25 V - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
IRLL110TR

IRLL110TR

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Vishay Siliconix

3,244
RFQ
IRLL110TR

برگه مشخصات

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1.5A (Tc) 4V, 5V 540mOhm @ 900mA, 5V 2V @ 250µA 6.1 nC @ 5 V ±10V 250 pF @ 25 V - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
NTD4302T4G

NTD4302T4G

MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK

onsemi

3,656
RFQ
NTD4302T4G

برگه مشخصات

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.4A (Ta), 68A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 24 V - 1.04W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STD7NS20T4

STD7NS20T4

MOSFET N-CH 200V 7A DPAK

STMicroelectronics

6,548
RFQ
STD7NS20T4

برگه مشخصات

MESH OVERLAY™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 7A (Tc) 10V 400mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 540 pF @ 25 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
NDB6020P

NDB6020P

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

onsemi

3,775
RFQ
NDB6020P

برگه مشخصات

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 24A (Tc) 4.5V 50mOhm @ 12A, 4.5V 1V @ 250µA 35 nC @ 5 V ±8V 1590 pF @ 10 V - 60W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)

همین حالا شروع کنید!

دریافت آخرین اخبار

EASTECH Electronics

خانه

EASTECH Electronics

جستجو

EASTECH Electronics

محصولات

EASTECH Electronics

Whatsapp

در حال ارسال...
×
با موفقیت ارسال شد!
از ارسال شما سپاسگزاریم، تیم فروش ما درخواست شما را دریافت خواهد کرد و ظرف ۱۲ ساعت با ارائه قیمت با شما تماس خواهیم گرفت.