لطفاً برای دریافت آخرین قیمت‌ها و موجودی با ما تماس بگیرید.

FET، ماسفت

عکس شماره قطعه تولیدکننده موجودی قیمت تعداد برگه مشخصات سری بسته / کیس بسته بندی وضعیت محصول نوع FET تکنولوژی تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs Vgs(th) (Max) @ ID شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs Vgs (حداکثر) ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds ویژگی FET اتلاف نیرو (حداکثر) دمای عملیاتی درجه صلاحیت نوع نصب بسته دستگاه تامین کننده
2SJ143(6)-S6-AZ

2SJ143(6)-S6-AZ

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,077
RFQ
2SJ143(6)-S6-AZ

برگه مشخصات

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SJ143(1)-S6-AZ

2SJ143(1)-S6-AZ

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,048
RFQ
2SJ143(1)-S6-AZ

برگه مشخصات

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
HUF76645S3ST

HUF76645S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

788
RFQ
HUF76645S3ST

برگه مشخصات

UltraFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 153 nC @ 10 V ±16V 4400 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
2SJ143(2)-S6-AZ

2SJ143(2)-S6-AZ

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

699
RFQ
2SJ143(2)-S6-AZ

برگه مشخصات

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
ZDX080N50

ZDX080N50

MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM

Rohm Semiconductor

374
RFQ
ZDX080N50

برگه مشخصات

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±30V 1120 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
FDB8870

FDB8870

MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB

onsemi

2,980
RFQ
FDB8870

برگه مشخصات

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 23A (Ta), 160A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 132 nC @ 10 V ±20V 5200 pF @ 15 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FDMS2504SDC

FDMS2504SDC

MOSFET N-CH 25V 42A/49A DLCOOL56

Fairchild Semiconductor

7,247
RFQ
FDMS2504SDC

برگه مشخصات

Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerTDFN Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 42A (Ta), 49A (Tc) 4.5V, 10V 1.25mOhm @ 32A, 10V 3V @ 1mA 119 nC @ 10 V ±20V 7770 pF @ 13 V - 3.3W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
SQD50034E_GE3

SQD50034E_GE3

MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA

Vishay Siliconix

3,301
RFQ
SQD50034E_GE3

برگه مشخصات

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 10V 3.9mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 6600 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
IRLR120PBF

IRLR120PBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

Vishay Siliconix

2,197
RFQ
IRLR120PBF

برگه مشخصات

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.7A (Tc) 4V, 5V 270mOhm @ 4.6A, 5V 2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±10V 490 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
G900P15D5

G900P15D5

P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH

Goford Semiconductor

1,574
RFQ
G900P15D5

برگه مشخصات

TrenchFET® 8-PowerTDFN Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 60A (Tc) 10V 80mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 4050 pF @ 75 V - 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
SI4427BDY-T1-E3

SI4427BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO

Vishay Siliconix

1,032
RFQ
SI4427BDY-T1-E3

برگه مشخصات

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.7A (Ta) 2.5V, 10V 10.5mOhm @ 12.6A, 10V 1.4V @ 250µA 70 nC @ 4.5 V ±12V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IRF6794MTR1PBF

IRF6794MTR1PBF

MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET

Infineon Technologies

300
RFQ
IRF6794MTR1PBF

برگه مشخصات

HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 32A (Ta), 200A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V 2.35V @ 100µA 47 nC @ 4.5 V ±20V 4420 pF @ 13 V Schottky Diode (Body) 2.8W (Ta), 100W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
IRF1104PBF

IRF1104PBF

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

Infineon Technologies

8,228
RFQ
IRF1104PBF

برگه مشخصات

HEXFET® TO-220-3 Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 9mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SI7818DN-T1-GE3

SI7818DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

4,820
RFQ
SI7818DN-T1-GE3

برگه مشخصات

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 2.2A (Ta) 6V, 10V 135mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
NTHD4P02FT1G

NTHD4P02FT1G

MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET

onsemi

2,850
RFQ

-

- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.2A (Tj) 2.5V, 4.5V 155mOhm @ 2.2A, 4.5V 1.2V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±12V 300 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.1W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ChipFET™
SI7818DN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3

MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

2,812
RFQ
SI7818DN-T1-E3

برگه مشخصات

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 2.2A (Ta) 6V, 10V 135mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
GT100N12K

GT100N12K

N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5

Goford Semiconductor

2,500
RFQ
GT100N12K

برگه مشخصات

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 65A (Tc) 10V 12mOhm @ 35A, 10V 3.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 2911 pF @ 60 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
GSFH49020

GSFH49020

MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 20

Good-Ark Semiconductor

1,000
RFQ
GSFH49020

برگه مشخصات

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 24A (Tc) 10V 49mOhm @ 22A, 10V 3.9V @ 250µA 20.5 nC @ 10 V ±20V 1223 pF @ 100 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFZ34PBF-BE3

IRFZ34PBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB

Vishay Siliconix

849
RFQ
IRFZ34PBF-BE3

برگه مشخصات

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) - 50mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
2SK1152-90L

2SK1152-90L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

796
RFQ
2SK1152-90L

برگه مشخصات

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
Total 36322 Record«Prev1... 587588589590591592593594...1817Next»

همین حالا شروع کنید!

دریافت آخرین اخبار

EASTECH Electronics

خانه

EASTECH Electronics

جستجو

EASTECH Electronics

محصولات

EASTECH Electronics

Whatsapp

در حال ارسال...
×
با موفقیت ارسال شد!
از ارسال شما سپاسگزاریم، تیم فروش ما درخواست شما را دریافت خواهد کرد و ظرف ۱۲ ساعت با ارائه قیمت با شما تماس خواهیم گرفت.