لطفاً برای دریافت آخرین قیمت‌ها و موجودی با ما تماس بگیرید.

FET، ماسفت

عکس شماره قطعه تولیدکننده موجودی قیمت تعداد برگه مشخصات سری بسته / کیس بسته بندی وضعیت محصول نوع FET تکنولوژی تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs Vgs(th) (Max) @ ID شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs Vgs (حداکثر) ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds ویژگی FET اتلاف نیرو (حداکثر) دمای عملیاتی درجه صلاحیت نوع نصب بسته دستگاه تامین کننده
RJK03E0DNS-00#J5

RJK03E0DNS-00#J5

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

140,000
RFQ
RJK03E0DNS-00#J5

برگه مشخصات

- 8-PowerWDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta) - 5.6mOhm @ 15A, 10V - 15.2 nC @ 4.5 V - 3050 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
IPP70N12S3L12AKSA1

IPP70N12S3L12AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_100+

Infineon Technologies

6,975
RFQ
IPP70N12S3L12AKSA1

برگه مشخصات

OptiMOS™ T TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 12.1mOhm @ 70A, 10V 2.4V @ 83µA 77 nC @ 10 V ±20V 5550 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3-1
2SJ356(0)-T2-AZ

2SJ356(0)-T2-AZ

P-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

37,000
RFQ
2SJ356(0)-T2-AZ

برگه مشخصات

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPP80N06S2L11AKSA2

IPP80N06S2L11AKSA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Infineon Technologies

4,989
RFQ
IPP80N06S2L11AKSA2

برگه مشخصات

OptiMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 10.7mOhm @ 40A, 10V 2V @ 93µA 80 nC @ 10 V ±20V 2075 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
UPA2719GR-E1-A

UPA2719GR-E1-A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

21,376
RFQ
UPA2719GR-E1-A

برگه مشخصات

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
GSGN0648

GSGN0648

MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 65V,

Good-Ark Semiconductor

20,564
RFQ
GSGN0648

برگه مشخصات

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65 V 48A (Tc) 4.5V, 10V 10.8mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 30.6 nC @ 10 V +20V, -12V 1890 pF @ 30 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PPAK (3.1x3.05)
IPI70N12S3L12AKSA1

IPI70N12S3L12AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_100+

Infineon Technologies

19,000
RFQ
IPI70N12S3L12AKSA1

برگه مشخصات

OptiMOS™ T TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 12.1mOhm @ 70A, 10V 2.4V @ 83µA 77 nC @ 10 V ±20V 5550 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
IPI70N12S311AKSA1

IPI70N12S311AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_100+

Infineon Technologies

15,500
RFQ
IPI70N12S311AKSA1

برگه مشخصات

OptiMOS™ T TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 70A (Tc) 10V 11.6mOhm @ 70A, 10V 4V @ 83µA 65 nC @ 10 V ±20V 4355 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
NTD4909NT4G

NTD4909NT4G

MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A DPAK

onsemi

2,022
RFQ
NTD4909NT4G

برگه مشخصات

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.8A (Ta), 41A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 17.5 nC @ 10 V ±20V 1314 pF @ 15 V - 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
UPA2719GR-E1-AT

UPA2719GR-E1-AT

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

15,000
RFQ
UPA2719GR-E1-AT

برگه مشخصات

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTMFS4854NST3G

NTMFS4854NST3G

MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL

onsemi

9,142
RFQ
NTMFS4854NST3G

برگه مشخصات

SENSEFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 15.2A (Ta), 149A (Tc) 3.2V, 10V 2.5mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 85 nC @ 11.5 V ±16V 4830 pF @ 12 V - 900mW (Ta), 86.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SO-8FL
HUF75339P3

HUF75339P3

MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3

Harris Corporation

13,980
RFQ
HUF75339P3

برگه مشخصات

UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 12mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 20 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
BSZ0910LSATMA1

BSZ0910LSATMA1

MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON

Infineon Technologies

13,733
RFQ
BSZ0910LSATMA1

برگه مشخصات

OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8 FL
FDPF33N25TRDTU

FDPF33N25TRDTU

MOSFET N-CHANNEL 250V TO220F

onsemi

5,648
RFQ
FDPF33N25TRDTU

برگه مشخصات

- TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 33A (Tc) 10V 94mOhm @ 16.5A, 10V 5V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±30V 2135 pF @ 25 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F (LG-Formed)
AUIRF3504

AUIRF3504

AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL

International Rectifier

10,600
RFQ
AUIRF3504

برگه مشخصات

HEXFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 87A (Tc) 10V 9.2mOhm @ 52A, 10V 4V @ 100µA 54 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 25 V - 143W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
UPA2790GR-E1-A

UPA2790GR-E1-A

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

10,000
RFQ
UPA2790GR-E1-A

برگه مشخصات

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
UPA2719GR-E2-AT

UPA2719GR-E2-AT

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

7,500
RFQ
UPA2719GR-E2-AT

برگه مشخصات

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
GSFN3904

GSFN3904

MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,

Good-Ark Semiconductor

6,000
RFQ
GSFN3904

برگه مشخصات

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 24A, 10V 2.5V @ 250µA 34 nC @ 4.5 V ±20V 3190 pF @ 25 V - 66W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PPAK (3.1x3.1)
SSFN3903

SSFN3903

MOSFET, P-CH, SINGLE, -50A, -30V

Good-Ark Semiconductor

5,492
RFQ
SSFN3903

برگه مشخصات

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±20V 3300 pF @ 15 V - 2.2W (Ta), 59W (Tc) -55°C ~ 150°C - - Surface Mount 8-PPAK (3.1x3.05)
GSFD8003

GSFD8003

MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.00A, 800

Good-Ark Semiconductor

4,967
RFQ
GSFD8003

برگه مشخصات

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 3A (Tc) 10V 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 9 nC @ 10 V ±30V 390.5 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
Total 36322 Record«Prev1... 494495496497498499500501...1817Next»

همین حالا شروع کنید!

دریافت آخرین اخبار

EASTECH Electronics

خانه

EASTECH Electronics

جستجو

EASTECH Electronics

محصولات

EASTECH Electronics

Whatsapp

در حال ارسال...
×
با موفقیت ارسال شد!
از ارسال شما سپاسگزاریم، تیم فروش ما درخواست شما را دریافت خواهد کرد و ظرف ۱۲ ساعت با ارائه قیمت با شما تماس خواهیم گرفت.