جستجوی داغ 74ABT74D,112 2N5432-2 M323R8GA3PB0-CTD 900-13636-0010-000 ARDUINO SHIELD SGPC3_SHTC3 ADG452BRUZ AD8630ARUZ RF50S MT25QU01GBBB8E12-0AUT MT53E256M32D2DS-053 AUT:B

در دسترس ۲۴/۷ در

+86 13632816717

خانه > محصولات > محصولات نیمه هادی گسسته > ترانزیستورها > IGBT ها > IGBT های منفرد

IGBT های منفرد

شماره قطعه تولیدکننده	موجودی	قیمت	تعداد	برگه مشخصات	سری	بسته / کیس	بسته بندی	وضعیت محصول	نوع IGBT	ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر)	فعلی - گردآورنده (IC) (حداکثر)	جریان - پالس جمع کننده (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge، Ic	قدرت - حداکثر	انرژی سوئیچینگ	نوع ورودی	شارژ دروازه	Td (روشن/خاموش) @ 25 درجه سانتی گراد	شرایط تست	زمان بازیابی معکوس (trr)	دمای عملیاتی	درجه	صلاحیت	نوع نصب	بسته دستگاه تامین کننده
IXBT20N300HV IGBT 3000V 50A TO268AA IXYS	5,066	-	RFQ	برگه مشخصات	BIMOSFET™	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tube	Not For New Designs	-	3000 V	50 A	140 A	3.2V @ 15V, 20A	250 W	-	Standard	105 nC	-	-	1.35 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-268AA
IXBF40N160 IGBT 1600V 28A ISOPLUSI4 IXYS	5,249	-	RFQ	برگه مشخصات	BIMOSFET™	i4-Pac™-5 (3 Leads)	Tube	Obsolete	-	1600 V	28 A	-	7.1V @ 15V, 20A	250 W	-	Standard	130 nC	-	960V, 25A, 22Ohm, 15V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	ISOPLUS i4-PAC™
IXXK200N65B4 IGBT 650V 370A 1150W TO264 IXYS	9,045	-	RFQ	برگه مشخصات	GenX4™, XPT™	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	PT	650 V	370 A	1000 A	1.7V @ 15V, 160A	1150 W	4.4mJ (on), 2.2mJ (off)	Standard	553 nC	62ns/245ns	400V, 100A, 1Ohm, 15V	-	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-264 (IXXK)
APT80GP60B2G IGBT PT 600V 100A TMAX Microchip Technology	3,478	-	RFQ	برگه مشخصات	POWER MOS 7®	TO-247-3 Variant	Tube	Active	PT	600 V	100 A	-	2.7V @ 15V, 80A	1041 W	-	Standard	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole	T-MAX™ [B2]
IXYK120N120B3 DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3) IXYS	4,256	-	RFQ	برگه مشخصات	XPT™, GenX3™	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	PT	1200 V	320 A	800 A	2.2V @ 15V, 100A	1500 W	9.7mJ (on), 21.5mJ (off)	Standard	400 nC	30ns/340ns	960V, 100A, 1Ohm, 15V	54 ns	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-264 (IXYK)
GA35XCP12-247 IGBT 1200V SOT247 GeneSiC Semiconductor	8,846	-	RFQ	برگه مشخصات	-	TO-247-3	Tube	Obsolete	PT	1200 V	-	35 A	3V @ 15V, 35A	-	2.66mJ (on), 4.35mJ (off)	Standard	50 nC	-	800V, 35A, 22Ohm, 15V	36 ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AB
IXYN300N65A3 DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN IXYS	5,463	-	RFQ	برگه مشخصات	XPT™, GenX3™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Active	PT	650 V	470 A	1600 A	1.6V @ 15V, 100A	1500 W	7.8mJ (on), 4.7mJ (off)	Standard	565 nC	42ns/190ns	400V, 100A, 1Ohm, 15V	125 ns	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B
IXYX120N120B3 IGBT IXYS	6,775	-	RFQ	برگه مشخصات	XPT™, GenX3™	TO-247-3 Variant	Tube	Active	-	1200 V	320 A	800 A	2.2V @ 15V, 100A	1500 W	9.7mJ (on), 21.5mJ (off)	Standard	400 nC	30ns/340ns	960V, 100A, 1Ohm, 15V	54 ns	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	PLUS247™-3
IXBF12N300 IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4 IXYS	7,490	-	RFQ	برگه مشخصات	BIMOSFET™	i4-Pac™-5 (3 Leads)	Tube	Not For New Designs	-	3000 V	26 A	98 A	3.2V @ 15V, 12A	125 W	-	Standard	62 nC	-	-	1.4 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	ISOPLUS i4-PAC™
APT200GN60B2G IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 283A Microchip Technology	7,125	-	RFQ	برگه مشخصات	-	TO-247-3	Tube	Active	Trench Field Stop	600 V	283 A	600 A	1.85V @ 15V, 200A	682 W	13mJ (on), 11mJ (off)	Standard	1180 nC	50ns/560ns	400V, 200A, 1Ohm, 15V	-	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	-
IXG70IF1200NA IGBT PT 1200V 130A SOT227B IXYS	3,156	-	RFQ	-	X2PT™, XPT™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Active	PT	1200 V	130 A	-	-	-	-	Standard	-	-	-	-	-	-	-	Chassis Mount	SOT-227B
IXXN340N65B4 IGBT MODULE DISC IGBT SOT227B IXYS	8,406	-	RFQ	برگه مشخصات	GenX4™, XPT™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Active	PT	650 V	520 A	1200 A	1.7V @ 15V, 160A	1500 W	4.4mJ (on), 2.2mJ (off)	Standard	553 nC	62ns/245ns	400V, 100A, 1Ohm, 15V	65 ns	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B
RJQ7031PJWS-00#W0 POWER TRS1 CAR POWER IGBT DIO SA Renesas Electronics Corporation	6,561	-	RFQ	-	-	-	Tube	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
APT150GN60LDQ4G IGBT TRENCH FS 600V 220A TO264 Microchip Technology	5,587	-	RFQ	برگه مشخصات	-	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	Trench Field Stop	600 V	220 A	450 A	1.85V @ 15V, 150A	536 W	8.81mJ (on), 4.295mJ (off)	Standard	970 nC	44ns/430ns	400V, 150A, 1Ohm, 15V	-	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-264 [L]
IXGK82N120B3 IGBT 1200V 230A 1250W TO264 IXYS	6,253	-	RFQ	برگه مشخصات	GenX3™	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	PT	1200 V	230 A	500 A	3.2V @ 15V, 82A	1250 W	5mJ (on), 3.3mJ (off)	Standard	350 nC	30ns/210ns	600V, 80A, 2Ohm, 15V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-264 (IXGK)
MMIX1X200N60B3 IGBT 600V 223A 625W SMPD IXYS	4,504	-	RFQ	برگه مشخصات	GenX3™, XPT™	24-PowerSMD, 21 Leads	Tube	Active	PT	600 V	223 A	1000 A	1.7V @ 15V, 100A	625 W	2.85mJ (on), 2.9mJ (off)	Standard	315 nC	48ns/160ns	360V, 100A, 1Ohm, 15V	-	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	24-SMPD
IXYA12N250CHV DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-263D IXYS	9,764	-	RFQ	برگه مشخصات	XPT™	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Active	-	2500 V	28 A	80 A	4.5V @ 15V, 12A	310 W	3.56mJ (on), 1.7mJ (off)	Standard	56 nC	12ns/167ns	1250V, 12A, 10Ohm, 15V	16 ns	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263HV
IXGF25N300 IGBT 3000V 27A 114W I4-PAK IXYS	9,305	-	RFQ	برگه مشخصات	-	i4-Pac™-5 (3 Leads)	Tube	Obsolete	-	3000 V	27 A	140 A	5.5V @ 15V, 75A	114 W	-	Standard	75 nC	-	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	ISOPLUS i4-PAC™
IXBT32N300 IGBT 3000V 80A TO268AA IXYS	7,235	-	RFQ	برگه مشخصات	BIMOSFET™	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tube	Active	-	3000 V	80 A	280 A	3.2V @ 15V, 32A	400 W	-	Standard	142 nC	-	-	1.5 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-268AA
IXYN120N65C3D1 IGBT PT 650V 190A SOT227B IXYS	6,261	-	RFQ	برگه مشخصات	GenX3™, XPT™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Obsolete	PT	650 V	190 A	620 A	2.8V @ 15V, 100A	830 W	1.25mJ (on), 500µJ (off)	Standard	265 nC	28ns/127ns	400V, 50A, 2Ohm, 15V	29 ns	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B